[发明专利]发光显示器件以及包括该发光显示器件的电子设备

权利要求书

1.一种发光显示器件，包括：

扫描线；

包括第一晶体管和第一发光元件的第一像素；以及

包括第二晶体管和第二发光元件的第二像素，

其中，所述第一像素与所述扫描线电连接，

所述第一晶体管包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层隔着栅极绝缘膜位于所述扫描线的上方，

所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽，以及

所述第二发光元件和所述氧化物半导体层彼此重叠。

2.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道宽度方向上，所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽。

3.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道长度方向上，所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽。

4.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，还包括氧化物绝缘层，

其中，所述氧化物绝缘层位于所述氧化物半导体层的至少一部分的上方并与其接触。

5.根据权利要求4所述的发光显示器件，其特征在于，所述氧化物绝缘层包含磷或硼。

6.一种发光显示器件，包括：

扫描线；

信号线；

包括第一晶体管和第一发光元件的第一像素；以及

包括第二晶体管和第二发光元件的第二像素，

其中，所述第一像素与所述扫描线和所述信号线电连接，

所述第一晶体管包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层隔着栅极绝缘膜位于所述扫描线的上方，

所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽，

所述信号线包括沿着所述扫描线的长边方向延伸且位于所述扫描线的上方的部分，以及

所述第二发光元件和所述氧化物半导体层彼此重叠。

7.根据权利要求6所述的发光显示器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道宽度方向上，所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽。

8.根据权利要求6所述的发光显示器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道长度方向上，所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽。

9.根据权利要求6所述的发光显示器件，其特征在于，还包括氧化物绝缘层，

其中，所述氧化物绝缘层位于所述氧化物半导体层的至少一部分的上方并与其接触。

10.根据权利要求9所述的发光显示器件，其特征在于，所述氧化物绝缘层包含磷或硼。

11.根据权利要求6所述的发光显示器件，其特征在于，

所述第一像素还包括绝缘层，以及

所述绝缘层位于所述栅极绝缘膜和所述信号线之间。

12.根据权利要求11所述的发光显示器件，其特征在于，所述氧化物半导体层的边缘部分用所述绝缘层覆盖。

13.一种发光显示器件，包括：

扫描线；

信号线；

包括第一晶体管、第二晶体管、第一布线和第一发光元件的第一像素；以及

包括第三晶体管、第四晶体管和第二发光元件的第二像素，

其中，所述第一像素与所述扫描线和所述信号线电连接，

所述第一晶体管包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层隔着栅极绝缘膜位于所述扫描线的上方，

所述信号线包括沿着所述扫描线的长边方向延伸且位于所述扫描线的上方的部分，

所述第一布线与所述氧化物半导体层接触并电连接到所述第二晶体管，

至少所述第一布线的一部分与所述扫描线重叠，

所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽，以及

所述第二发光元件和所述氧化物半导体层彼此重叠。

14.根据权利要求13所述的发光显示器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道宽度方向上，所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽。

15.根据权利要求13所述的发光显示器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道长度方向上，所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽。