[发明专利]具有梯级结构凸起的结构的半导体芯片无效
| 申请号： | 201080040036.2 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102576683A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 罗登·R·托帕西奥;易普·森·罗 | 申请（专利权）人： | ATI科技无限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H05K13/04 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 披露了各种半导体芯片输入/输出结构以及其制造方法。在一方面，提供了制造方法，其包括在半导体芯片的第一面上形成第一导体结构以及形成与该第一导体结构电接触的第二导体结构。该第二导体结构适于联接到焊料结构并且包括具有至少两个踏板的梯级结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 梯级 结构 凸起 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种制造方法，其包括：在半导体芯片的第一面上形成第一导体结构；以及形成第二导体结构，所述第二导体结构与所述第一导体结构电接触，并且适于联接到焊料结构，所述第二导体结构包括具有至少两个踏板的梯级结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
