[发明专利]具有梯级结构凸起的结构的半导体芯片无效
| 申请号： | 201080040036.2 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102576683A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 罗登·R·托帕西奥;易普·森·罗 | 申请（专利权）人： | ATI科技无限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H05K13/04 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 梯级 结构 凸起 半导体 芯片 | ||
1.一种制造方法，其包括：
在半导体芯片的第一面上形成第一导体结构；以及
形成第二导体结构，所述第二导体结构与所述第一导体结构电接触，并且适于联接到焊料结构，所述第二导体结构包括具有至少两个踏板的梯级结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体芯片包括位于所述第一导体结构上方的电介质层板，所述方法包括形成相对所述第一导体结构的开口并且在所述开口中形成所述第二导体结构。
3.根据权利要求1所述的方法，包含将焊料结构联接到所述第二导体结构。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述焊料结构包括焊料凸点和焊点中的一个。
5.根据权利要求1所述的方法，其中包括将电路板电联接到所述焊料结构。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述电路板包括半导体芯片封装基板。
7.根据权利要求1所述的方法，其中包括使用存储在计算机可读介质中的指令形成所述第一和第二导体结构。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导体结构包括虚拟衬垫。
9.将半导体芯片联接到电路板的方法，其包括：
将第一焊料结构联接到位于所述半导体芯片第一面上的第一导体结构上，所述第一导体结构包括具有至少两个踏板的梯级结构；以及
将所述第一焊料结构联接到所述电路板。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一焊料结构包括焊料凸点和焊点中的一个。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述将所述第一焊料结构联接到所述电路板包括将所述第一焊料结构联接到已被联接到所述电路板的预焊料。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述电路板包括半导体芯片封装基板。
13.一种装置，其包括：
半导体芯片，其具有第一面和与所述第一面相对的第二面；以及
第一导体结构，其位于所述第一面上并且适于联接到焊料结构，所述第一导体结构包括具有至少两个踏板的梯级结构。
14.根据权利要求13所述的装置，包括联接到所述第一导体结构的焊料结构。
15.根据权利要求14所述的装置，其中所述焊料结构包括焊料凸点和焊点中的一个。
16.根据权利要求14所述的装置，包括电联接到所述焊料结构的电路板。
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述电路板包括半导体芯片封装基板。
18.根据权利要求13所述的装置，包括联接到所述第一导体结构的所述半导体芯片的第二导体结构。
19.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一导体结构包括输入/输出衬垫。
20.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一导体结构包括虚拟衬垫。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
