[发明专利]光传感器、半导体器件和液晶面板无效

专利信息
申请号: 201080036941.0 申请日: 2010-07-26
公开(公告)号: CN102473716A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 织田明博;金子诚二 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G09F9/00;H01L29/786;H01L31/10
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 即使薄膜二极管的半导体层的厚度薄,也能够提高光利用效率并提高薄膜二极管的光检测灵敏度。另外,防止薄膜二极管的电极通过遮光层发生短路。在基板(101)的一侧,设置包括第一半导体层(131)的薄膜二极管(130),该第一半导体层(131)至少包含n型区域(131n)和p型区域(131p),在基板与第一半导体层之间设置有遮光层(160)。在遮光层的与第一半导体层相对的一侧的面形成有氧化金属层(180)。在氧化金属层的与第一半导体层相对的一侧的面形成有凹凸,第一半导体层具有沿着氧化金属层的凹凸的凹凸形状。
搜索关键词: 传感器 半导体器件 液晶面板
【主权项】:
一种光传感器,其特征在于,包括:基板;薄膜二极管,其设置在所述基板的一侧且具有至少包含n型区域和p型区域的第一半导体层;和遮光层,其设置在所述基板与所述第一半导体层之间,在所述遮光层的与所述第一半导体层相对的一侧的面形成有氧化金属层,在所述氧化金属层的与所述第一半导体层相对的一侧的面形成有凹凸,所述第一半导体层具有沿着所述氧化金属层的所述凹凸的凹凸形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080036941.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top