[发明专利]光传感器、半导体器件和液晶面板

权利要求书

1.一种光传感器，其特征在于，包括：

基板；

薄膜二极管，其设置在所述基板的一侧且具有至少包含n型区域和p型区域的第一半导体层；和

遮光层，其设置在所述基板与所述第一半导体层之间，

在所述遮光层的与所述第一半导体层相对的一侧的面形成有氧化金属层，

在所述氧化金属层的与所述第一半导体层相对的一侧的面形成有凹凸，

所述第一半导体层具有沿着所述氧化金属层的所述凹凸的凹凸形状。

2.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于：

所述第一半导体层的厚度，比在所述第一半导体层的与所述氧化金属层相对的一侧的面形成的凹凸的顶部与底部的高低差薄。

3.如权利要求1或2所述的光传感器，其特征在于：

在所述氧化金属层的与所述第一半导体层相对的一侧的面形成的所述凹凸的顶部与底部的高低差是50～100nm。

4.如权利要求1至3中的任意一项所述的光传感器，其特征在于：

在所述氧化金属层的与所述第一半导体层相对的一侧的面的整个面形成有所述凹凸。

5.如权利要求1至4中的任意一项所述的光传感器，其特征在于，还包括：

覆盖所述第一半导体层的层间绝缘膜；和贯通所述层间绝缘膜，分别与所述n型区域和所述p型区域电连接的一对电极，

所述一对电极中的至少一个到达所述氧化金属层。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

权利要求1至5中的任意一项所述的光传感器；和

薄膜晶体管，其设置在所述基板的与所述薄膜二极管相同的一侧，

所述薄膜晶体管具有：包括沟道区域、源极区域和漏极区域的第二半导体层；控制所述沟道区域的导电性的栅极电极；和在所述第二半导体层与所述栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一半导体层和所述第二半导体层形成在同一绝缘层上。

8.如权利要求6或7所述的半导体器件，其特征在于：

所述第二半导体层的与所述基板相对的一侧的面是平坦的。

9.如权利要求6至8中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一半导体层的厚度与所述第二半导体层的厚度相同。

10.一种液晶面板，其特征在于，包括：

权利要求6至9中的任意一项所述的半导体器件；

相对基板，其与所述基板的设置有所述薄膜二极管和所述薄膜晶体管的一侧的面相对地配置；和

液晶层，其被封入在所述基板与所述相对基板之间。