[发明专利]非易失性存储器的层级式交点阵列有效
| 申请号： | 201080032414.2 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102473456A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | J·邱敏;L·勇;J·印斯克;K·扬皮儿;L·哈里 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于从非易失性存储器单元中读取数据的方法和装置。在一些实施例中，非易失性存储器单元的交点阵列被排列为诸个行和列。提供了选择电路，用于激活第一存储器单元块并停用第二存储器单元块。进一步的，提供了读取电路，用于藉由将第一阻性状态编程至与第一存储器单元块相对应的块选择组件并将第二阻性状态编程至与第二存储器单元块相对应的块选择组件，读取第一存储器单元块中的预定存储器单元的逻辑状态，并且具有减少的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 层级 交点 阵列 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：非易失性存储器单元的交点阵列，被排列为诸个行和列；选择电路，用于激活第一存储器单元块并停用第二存储器单元块；以及读取电路，用于藉由将第一阻性状态编程至至少一个第一块选择组件并将第二阻性状态编程至至少一个第二块选择组件，读取第一存储器单元块中的预定存储器单元的逻辑状态，并且具有减少的漏电流。
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