[发明专利]具有主动输出阻抗匹配的缓冲器无效
申请号: | 201080022349.5 | 申请日: | 2010-05-21 |
公开(公告)号: | CN102439849A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 沙欣·梅海丁扎德·塔莱依;简·保罗·范德瓦格特 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/56 | 分类号: | H03F1/56;H03F3/72;H03F1/22;H03H11/30;H04L25/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于设计缓冲器(310)的技术,所述缓冲器(310)能够以低供应电压进行工作,且具有主动输出阻抗匹配能力以优化去往广泛范围的负载的电力传递。在示范性实施例中,在缓冲器架构中提供共源共栅晶体管(333、334),所述缓冲器架构使用具有不等宽长比W/L的共源极晶体管(331、332)及与负载(120)具有对应固定比率的电阻(340、350)。可动态地偏置所述共源共栅晶体管中的至少一者(333)以使所述共源极晶体管(331、332)的漏极电压之间的差最小化。在另一示范性实施例中,可通过选择性地启用一组调谐晶体管来主动地调谐所述缓冲器的输出阻抗,所述调谐晶体管与所述负载并联耦合。本发明描述用于提供校准模式及操作模式的其它技术。 | ||
搜索关键词: | 具有 主动 输出 阻抗匹配 缓冲器 | ||
【主权项】:
一种用于使用输入电压驱动负载的方法,所述方法包含:分别将第一及第二共源极晶体管的漏极电压耦合到第一及第二共源共栅晶体管;将所述第一共源共栅晶体管的漏极电压耦合到第一电阻器;将所述第二共源共栅晶体管的漏极电压耦合到所述负载,所述第一电阻器具有比所述负载的标称电阻大n倍的标称电阻;使用第二电阻器将所述第一共源共栅晶体管的所述漏极电压耦合到所述第二共源共栅晶体管的所述漏极电压,所述第二电阻器具有比所述负载的所述标称电阻大(n+1)倍的标称电阻;调整所述第一共源极晶体管的栅极电压以使所述第一共源共栅晶体管的所述漏极电压与所述输入电压之间的差最小化;及将所述第一共源极晶体管的所述栅极电压耦合到所述第二共源极晶体管的栅极电压。
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