[发明专利]具有主动输出阻抗匹配的缓冲器无效
申请号: | 201080022349.5 | 申请日: | 2010-05-21 |
公开(公告)号: | CN102439849A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 沙欣·梅海丁扎德·塔莱依;简·保罗·范德瓦格特 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/56 | 分类号: | H03F1/56;H03F3/72;H03F1/22;H03H11/30;H04L25/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 主动 输出 阻抗匹配 缓冲器 | ||
1.一种用于使用输入电压驱动负载的方法,所述方法包含:
分别将第一及第二共源极晶体管的漏极电压耦合到第一及第二共源共栅晶体管;
将所述第一共源共栅晶体管的漏极电压耦合到第一电阻器;
将所述第二共源共栅晶体管的漏极电压耦合到所述负载,所述第一电阻器具有比所述负载的标称电阻大n倍的标称电阻;
使用第二电阻器将所述第一共源共栅晶体管的所述漏极电压耦合到所述第二共源共栅晶体管的所述漏极电压,所述第二电阻器具有比所述负载的所述标称电阻大(n+1)倍的标称电阻;
调整所述第一共源极晶体管的栅极电压以使所述第一共源共栅晶体管的所述漏极电压与所述输入电压之间的差最小化;及
将所述第一共源极晶体管的所述栅极电压耦合到所述第二共源极晶体管的栅极电压。
2.根据权利要求1所述的方法,所述第二共源极晶体管具有比所述第一共源极晶体管大n倍的宽长比W/L,所述第二共源共栅晶体管具有比所述第一共源共栅晶体管大n倍的宽长比W/L。
3.根据权利要求1所述的方法,所述调整所述第一共源极晶体管的所述栅极电压包含:
将所述第一共源共栅晶体管的所述漏极电压耦合到第一高增益放大器的正输入端子;
将所述输入电压耦合到所述第一高增益放大器的负输入端子;及
将所述第一高增益放大器的输出电流耦合到所述第一共源极晶体管的栅极。
4.根据权利要求3所述的方法,所述第一高增益放大器包含第一运算跨导放大器OTA。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:
调整所述第一共源共栅晶体管的栅极电压以使所述第一与第二共源极晶体管的所述漏极电压之间的差最小化。
6.根据权利要求5所述的方法,所述调整所述第一共源共栅晶体管的所述栅极电压包含:
将所述第一共源极晶体管的所述漏极电压耦合到第二运算跨导放大器OTA的负输入端子;
将所述第二共源极晶体管的所述漏极电压耦合到所述第二OTA的正输入端子;及
将所述第二OTA的输出电流耦合到所述第一共源共栅晶体管的栅极。
7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含在校准阶段期间:
调整所述第一共源极晶体管的所述栅极电压以使所述第一共源共栅晶体管的所述漏极电压与DC调谐电压之间的差最小化;
分别相对于所述第一共源极晶体管及所述第一共源共栅晶体管的所述W/L在从最小W/L到最大W/L的范围上离散地增大可变大小的共源极晶体管及可变大小的共源共栅晶体管的W/L,所述可变大小的共源极晶体管及所述可变大小的共源共栅晶体管与所述第二共源极晶体管及所述第二共源共栅晶体管并联地耦合到所述负载;及
针对所述可变大小的共源极晶体管及所述可变大小的共源共栅晶体管的每一离散W/L监视所述第一与第二共源共栅晶体管的所述漏极电压之间的差;所述方法进一步包含:
对应于所述第一与第二共源共栅晶体管的所述漏极电压之间的最小差来设定所述可变大小的共源极晶体管及所述可变大小的共源共栅晶体管的所述W/L。
8.根据权利要求7所述的方法,所述可变大小的共源极晶体管及所述可变大小的共源共栅晶体管各自包含多个分支晶体管,所述离散地增大包含:
选择性地将所述第一共源极晶体管的所述栅极电压耦合到对应于所述可变大小的共源极晶体管的所述多个分支晶体管的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的方法,所述多个分支晶体管包含具有经二进制加权的W/L的晶体管。
10.根据权利要求8所述的方法,所述多个分支晶体管包含单位W/L的晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080022349.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。