[发明专利]锶钌氧化物界面有效
| 申请号： | 201080020703.0 | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102421935A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;瓦西尔·安东诺夫;约翰·斯迈思 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C23C16/40;C23C16/44;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 锶钌氧化物在钌导体与锶钛氧化物电介质之间提供有效界面。锶钌氧化物的形成包括使用原子层沉积来形成氧化锶和随后对氧化锶实施退火以形成锶钌氧化物。使用水作为氧源对氧化锶进行第一原子层沉积，随后使用臭氧作为氧源对氧化锶进行后续原子层沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 界面 | ||
【主权项】：
一种形成锶钌氧化物的方法，其包含：使用第一原子层沉积方法在钌材料上形成第一氧化锶材料，其中所述第一原子层沉积使用锶前体且使用水作为氧源；使用第二原子层沉积方法在所述第一氧化锶材料上形成第二氧化锶材料，其中所述第二原子层沉积方法使用锶前体且使用臭氧作为氧源；和对所述钌材料、所述第一氧化锶材料和所述第二氧化锶材料实施退火以形成所述锶钌氧化物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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