[发明专利]锶钌氧化物界面

权利要求书

1.一种形成锶钌氧化物的方法，其包含：

使用第一原子层沉积方法在钌材料上形成第一氧化锶材料，其中所述第一原子层沉积使用锶前体且使用水作为氧源；

使用第二原子层沉积方法在所述第一氧化锶材料上形成第二氧化锶材料，其中所述第二原子层沉积方法使用锶前体且使用臭氧作为氧源；和

对所述钌材料、所述第一氧化锶材料和所述第二氧化锶材料实施退火以形成所述锶钌氧化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一氧化锶材料和形成所述第二氧化锶材料包含在所述第一原子层沉积方法和所述第二原子层沉积方法中使用相同的锶前体。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中使用锶前体包含在所述第一原子层沉积方法和所述第二原子层沉积方法中的至少一者中使用(四甲基庚二酮酸)锶。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其进一步包含：

至少执行多次所述第一原子层沉积方法的循环以形成呈连续材料形式的所述第一氧化锶材料。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包含：

至少执行多次所述第一原子层沉积方法的循环以形成至少厚度的所述第一氧化锶材料。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其进一步包含：

至少执行多次所述第二原子层沉积方法的循环以形成呈连续材料形式的所述第二氧化锶材料。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中对所述钌材料、所述第一氧化锶材料和所述第二氧化锶材料实施退火包含在氮环境中执行快速热退火。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中使用第一原子层沉积方法在钌材料上形成第一氧化锶材料包含：

在原子层沉积方法中将第一锶前体化学吸附到所述钌材料上；

使水蒸气与所述化学吸附的第一锶前体反应；和

将化学吸附所述第一锶前体和使所述水蒸气与所述化学吸附的第一锶前体反应的循环重复第一循环数，以在所述钌材料上形成所述第一氧化锶材料。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中使用第二原子层沉积方法在所述第一氧化锶材料上形成第二氧化锶材料包含：

在原子层沉积方法中将第二锶前体化学吸附到所述第一氧化锶材料上；

使臭氧与所述化学吸附的第二锶前体反应；和

将化学吸附所述第二锶前体和使所述臭氧与所述化学吸附的第二锶前体反应的循环重复第二循环数，以在所述第一氧化锶材料上形成第二氧化锶材料。

10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的方法，其中所述钌材料是钌电极，所述方法进一步包含：

在所述锶钌氧化物上形成锶钛氧化物电介质；和

在所述锶钛氧化物电介质上形成第二电极以形成电容器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述锶钌氧化物上形成锶钛氧化物电介质包含执行通过原子层沉积形成氧化锶和通过原子层沉积形成氧化钛的交替循环。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其进一步包含在形成所述第二电极前对所述锶钛氧化物电介质实施退火。

13.根据权利要求10到12中任一权利要求所述的方法，其中在所述锶钛氧化物电介质上形成第二电极包含形成多晶硅电极。

14.一种集成电路装置，其包含：

钌；

覆盖于所述钌上的锶钛氧化物电介质；和

插于所述钌与所述锶钛氧化物电介质间的锶钌氧化物界面；

其中所述锶钌氧化物界面是使用包含下列的方法形成：

使用锶前体作为第一前体且水蒸气作为第二前体来执行第一原子层沉积方法，以在所述钌上形成第一氧化锶材料；

使用锶前体作为第一前体且臭氧作为第二前体来执行第二原子层沉积方法，以在所述第一氧化锶材料上形成第二氧化锶材料；和

对所述钌、所述第一氧化锶材料和所述第二氧化锶材料实施退火以形成所述锶钌氧化物界面。