[发明专利]抗蚀图案的形成方法及显影液有效
申请号: | 201080019592.1 | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN102414625A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 东野诚司;近重幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社德山 |
主分类号: | G03F7/32 | 分类号: | G03F7/32;G03F7/004;G03F7/038;G03F7/38;H01L21/027 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种抗蚀图案的形成方法及抗蚀剂用显影液,所述抗蚀图案的形成方法包括如下工序:抗蚀膜形成工序:在基板上形成含有特定的杯芳烃衍生物的抗蚀膜;潜像形成工序:使所述抗蚀膜选择性地曝光于高能射线、形成图案的潜像;及显影工序:用含有选自由含氟烷基醚以及含氟醇组成的组中的至少一种的含氟溶剂的显影液将没有曝光于高能射线的抗蚀膜的部分除去,由此对所述潜像进行显影;以上述含氟溶剂作为抗蚀剂用显影液。 | ||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 显影液 | ||
【主权项】:
1.一种抗蚀图案的形成方法,其特征在于,含有以下工序:抗蚀膜形成工序:在基板上形成含有选自由下述式(1)表示的杯芳烃衍生物1及下述式(2)表示的杯芳烃衍生物2组成的组的至少一种的杯芳烃衍生物的抗蚀膜,
其中,R为碳数为1~10的烷基,
其中,R为碳数为1~10的烷基,并且,n为1~3的整数;潜像形成工序:对所述抗蚀膜的一部分选择性地曝光高能射线而形成图案的潜像;以及显影工序:使形成了潜像的所述抗蚀膜与含有选自由含氟烷基醚及含氟醇组成的组的至少一种的含氟溶剂的显影液接触而将没有曝光于高能射线的抗蚀膜的部分除去,由此对所述潜像进行显影。
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