[发明专利]晶片加工用薄膜以及使用晶片加工用薄膜制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 201080011044.4 | 申请日： | 2010-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102349134A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 建部一贵 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;H01L21/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在将具有由胶粘剂层及粘合薄膜构成的切割/管芯焊接薄膜的晶片加工用薄膜卷成滚筒状时，可充分地抑制在胶粘剂层发生转印痕的晶片加工用薄膜。本发明的晶片加工用薄膜(10)包含粘合薄膜(14)，其由长条的基材薄膜(11)及以长条的薄膜状设置于基材薄膜(11)上的粘合剂层(12)构成；及胶粘剂层(13)，其以长条的薄膜状设置于粘合剂层(12)上。其中，粘合剂层(12)包含放射线聚合性化合物及光引发剂。粘合薄膜(12)未预先切割成对应于环框(20)的形状，胶粘剂层(13)未预先切割成对应于半导体晶片(W)的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 工用 薄膜 以及 使用 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片加工用薄膜，其特征在于，包含：粘合薄膜，其由长条的基材薄膜、以及以长条的薄膜状设置于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；以及胶粘剂层，其以长条的薄膜状设置于所述粘合剂层上，其中，所述粘合剂层包含放射线聚合性化合物及光引发剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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