[发明专利]晶片加工用薄膜以及使用晶片加工用薄膜制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 201080011044.4 | 申请日： | 2010-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102349134A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 建部一贵 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;H01L21/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 工用 薄膜 以及 使用 制造 半导体 装置 方法 | ||
1.一种晶片加工用薄膜，其特征在于，包含：
粘合薄膜，其由长条的基材薄膜、以及以长条的薄膜状设置于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；以及
胶粘剂层，其以长条的薄膜状设置于所述粘合剂层上，
其中，所述粘合剂层包含放射线聚合性化合物及光引发剂。
2.一种晶片加工用薄膜，其特征在于，包含：
粘合薄膜，其由长条的基材薄膜、以及以长条的薄膜状设置于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；以及
胶粘剂层，其以长条的薄膜状设置于所述粘合剂层上，
其中，所述粘合剂层含有热聚合性化合物。
3.如权利要求1或2所述的晶片加工用薄膜，其中，
所述粘合薄膜未被预先切割成对应于环框的形状，
所述胶粘剂层未被预先切割成对应于半导体晶片的形状。
4.如权利要求1～3中任一项所述的晶片加工用薄膜，其中，
所述胶粘剂层中，在对应于比半导体晶片的外周更向外侧且比所述环框的外周更向内侧的位置设有切口。
5.如权利要求1、3或4中任一项所述的晶片加工用薄膜，其中，
在所述胶粘剂层的表面上以能够剥离的方式贴合有保护薄膜，
所述保护薄膜具有放射线阻挡性，并且在对应于比半导体晶片的外周更向外侧且比所述环框的外周更向内侧的位置形成有切口。
6.一种方法，是使用权利要求1～5中任一项所述的晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：
使所述粘合剂层的对应于晶片的部分以外的部分中至少对应于环框的部分固化，并从所固化的粘合剂层的部分剥离所述胶粘剂层的工序；
在所述胶粘剂层贴合所述晶片的工序；
在所述粘合剂层固定所述环框的工序；
切割所述晶片，形成单片的芯片及胶粘剂层的工序；以及
使所述粘合剂层的对应于晶片的部分固化，拾取所述单片的芯片及胶粘剂层的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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