[发明专利]晶片加工用薄膜以及使用晶片加工用薄膜制造半导体装置的方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片加工用薄膜，特别是涉及包含具有切割胶带(Dicing Tape)及管芯焊接(die bonding)薄膜这两个功能的切割/管芯焊接薄膜的晶片加工用薄膜。还涉及使用所述晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法。

现有技术

最近，正在开发同时具有切割胶带的功能及管芯焊接薄膜(晶片贴膜(Die Attach film))的功能这两个功能的切割/管芯焊接薄膜。所述切割胶带的功能是在将半导体晶片切断分离(切割)成各个半导体芯片时用于固定半导体晶片，所述管芯焊接薄膜的功能是用于将所被切断的半导体芯片粘接于引线架或封装基板等、或在堆叠封装中是用于层叠、粘接半导体芯片。

作为这样的切割/管芯焊接薄膜，考虑到向半导体晶片进行贴附的作业性或切割时向环框进行安装等的作业性而实施预先切割加工。

图5及图6是表示被预先切割加工后的切割/管芯焊接薄膜的例子。图5、图6(A)、图6(B)分别为具有切割/管芯焊接薄膜35的晶片加工用薄膜30的概要图、俯视图、剖面图。晶片加工用薄膜30由脱模薄膜31、胶粘剂层32及粘合薄膜33构成。胶粘剂层32具有被加工成对应于半导体晶片的形状时的形状(例如圆形)的圆形贴纸(label)形状。粘合薄膜33被除去了对应于切割用的环框形状的圆形部分的周边区域，如图所示，具有圆形贴纸部33a、及包围圆形贴纸部33a的外侧的周边部33b。胶粘剂层32与粘合薄膜33的圆形贴纸部33a以中心一致的方式层叠，且粘合薄膜33的圆形贴纸部33a覆盖胶粘剂层32，且以其周围与脱模薄膜31接触。由胶粘剂层32及粘合薄膜33的圆形贴纸部33a所形成的层叠构造即构成切割/管芯焊接薄膜35。

在切割半导体晶片时，从层叠状态的胶粘剂层32及粘合薄膜33来剥离脱模薄膜31，如图7所示，在胶粘剂层32上贴附半导体晶片W的背面，在粘合薄膜33的圆形贴纸部33a的外周部粘合固定切割用环框R。在此状态下切割半导体晶片W来形成单片化的半导体芯片，然后对粘合薄膜33(33a)实施紫外线照射等的固化处理，并拾取半导体芯片。此时，粘合薄膜33(33a)由于固化处理而粘合力降低，因此容易从胶粘剂层32剥离，半导体芯片在背面附着胶粘剂层32的状态下被拾取。附着于半导体芯片的背面的胶粘剂层32在之后将半导体芯片粘接于引线架或封装基板、或其它的半导体芯片时，具有作为管芯焊接薄膜的功能。

可是，上述那样的晶片加工用薄膜30，如图5及图6所示，胶粘剂层32与粘合薄膜33的圆形贴纸部33a所层叠的部分比其它的部分更厚。并且，圆形贴纸部33a与周边部33b之间露出的脱模薄膜31部分是除去了粘合薄膜33的部分，在与粘合薄膜33(33a、33b)部分之间形成粘合薄膜33的厚度量的阶差。因此，使用圆筒状的卷芯来将长的晶片加工用薄膜30作为制品卷成滚筒状时，在胶粘剂层32与粘合薄膜33的圆形贴纸部33a的层叠部分，粘合薄膜33与脱模薄膜31所形成的上述阶差重迭，在柔软的胶粘剂层32表面产生阶差被转印的现象，也即如图8所示的转印痕(贴纸痕迹、皱纹、或卷印)。这样的转印痕的发生，特别是在胶粘剂层32为柔软的树脂所形成时或具有厚度时及晶片加工用薄膜30的卷数多时等更为显著。一旦发生转印痕，则在胶粘剂层32上贴附半导体晶片W的背面时会在胶粘剂层32与半导体晶片W之间卷入空气的情况下贴附，因此胶粘剂层32与半导体晶片W之间不会密合，其结果是，恐有引起粘接不良，在半导体晶片的加工时产生状态不佳的可能性。

为了抑制上述转印痕的发生，虽可考虑减弱晶片加工用薄膜的卷压，但此方法恐有产生制品的捆卷偏移，例如往贴带机(tape mounter)的安装困难等，会给晶片加工用薄膜的实际使用时带来障碍的可能性。

并且，在专利文献1中公开了为了抑制上述那样贴纸痕迹的发生，而在剥离基材上的胶粘剂层及粘合薄膜的外方设置具有与胶粘剂层及粘合薄膜的合计膜厚相同或以上的膜厚的支撑层的粘接薄片。专利文献1的粘接薄片通过具有支撑层来分散施加于粘接薄片的卷取压力或集中于支撑层，由此抑制转印痕的发生。

〔现有技术文献〕

〔专利文献〕

[专利文献1]日本特开2007-2173号公报

发明内容

(发明所要解决的问题)