[发明专利]磁记录介质及其制造方法有效
| 申请号： | 201080009722.3 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102341855A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 上村拓也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/84;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁记录介质的制造方法，该制造方法包括：在基材之上形成磁性层的工序；形成贯通所述磁性层的凹部，从而形成具有所述磁性层的凹凸图案的记录层的工序；使所述凹部残留空间并在所述凹部的内表面上形成氧化性材料或者氮化性材料的膜的工序；将成膜了的所述材料氧化或者氮化，采用氧化材料或者氮化材料填充所述空间的工序；和除去所述记录层上的剩余的所述氧化材料或者所述氮化材料进行平坦化的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，是包含具有磁性层的凹凸图案的记录层的磁记录介质，所述记录层具有贯通所述磁性层的凹部，在所述凹部填充非磁性材料形成了非磁性层，所述非磁性材料含有非磁性金属、和所述非磁性金属的氧化物或者氮化物。
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