[发明专利]磁记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种磁记录介质，是包含具有磁性层的凹凸图案的记录层的磁记录介质，

所述记录层具有贯通所述磁性层的凹部，

在所述凹部填充非磁性材料形成了非磁性层，

所述非磁性材料含有非磁性金属、和所述非磁性金属的氧化物或者氮化物。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述非磁性金属为选自钽、铝、钨、铬和硅中的至少一种金属。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述非磁性层包含由所述非磁性金属构成的第1非磁性层和由所述非磁性金属的氧化物或者氮化物构成的第2非磁性层，所述第1非磁性层配置在所述凹部的底面侧。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，被填充到所述凹部的所述非磁性材料中所含有的氧元素或者氮元素的浓度从所述凹部的底面侧朝向上方增加。

5.一种磁记录介质的制造方法，包括：

在基材之上形成磁性层的工序；

形成贯通所述磁性层的凹部，从而形成具有所述磁性层的凹凸图案的记录层的工序；

使所述凹部残留空间，并在所述凹部的内表面上形成氧化性材料的膜的工序；

将成膜了的所述氧化性材料氧化，采用氧化材料填充所述空间的工序；和

除去所述记录层上的剩余的所述氧化材料进行平坦化的工序。

6.根据权利要求5所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述氧化性材料为选自钽、铝、钨、铬和硅中的至少一种金属。

7.根据权利要求5所述的磁记录介质的制造方法，其中，在形成所述氧化性材料的膜的工序中，成膜了的所述氧化性材料的从所述凹部的底面算起的最小膜厚处于下述范围内：下限值设为所述凹部的总高度乘以所述氧化性材料的由氧化引起的最大膨胀率的倒数所得到的值，上限值设为低于所述凹部的总高度。

8.一种磁记录介质的制造方法，包括：

在基材之上形成磁性层的工序；

形成贯通所述磁性层的凹部，从而形成具有所述磁性层的凹凸图案的记录层的工序；

使所述凹部残留空间，并在所述凹部的内表面上形成氮化性材料的膜的工序；

将成膜了的所述氮化性材料氮化，采用氮化材料填充所述空间的工序；和

除去所述记录层上的剩余的所述氮化材料进行平坦化的工序。

9.根据权利要求8所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述氮化性材料为选自钽、铝、钨、铬和硅中的至少一种金属。

10.根据权利要求8所述的磁记录介质的制造方法，其中，在形成所述氮化性材料的膜的工序中，成膜了的所述氮化性材料的从所述凹部的底面算起的最小膜厚处于下述范围内：下限值设为所述凹部的总高度乘以所述氮化性材料的由氮化引起的最大膨胀率的倒数所得到的值，上限值设为低于所述凹部的总高度。

11.一种磁记录介质的制造方法，包括：

在非磁性基材之上形成磁性层的工序；

形成贯通所述磁性层的凹部，从而形成具有所述磁性层的凹凸图案的记录层的工序；

在所述凹部的内表面上形成非磁性金属的膜的工序；

将成膜了的所述非磁性金属氧化或者氮化，采用含有所述非磁性金属、和所述非磁性金属的氧化物或者氮化物的非磁性材料填充所述凹部的工序；和

除去所述记录层上的剩余的所述非磁性材料进行平坦化的工序。

12.根据权利要求11所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述非磁性金属为选自钽、铝、钨、铬和硅中的至少一种金属。

13.根据权利要求11所述的磁记录介质的制造方法，其中，在形成所述非磁性金属的膜的工序中，成膜了的所述非磁性金属的从所述凹部的底面算起的最小膜厚处于下述范围内：下限值设为所述凹部的总高度乘以所述非磁性金属的由氧化或者氮化引起的最大膨胀率的倒数所得到的值，上限值设为低于所述凹部的总高度。