[发明专利]通过倾斜离子注入来形成鳍和鳍式FET

摘要

通过提供衬底并且在衬底顶上形成含半导体层来形成半导体器件。然后在含半导体层顶上形成具有多个开口的掩膜，其中掩膜的多个开口中的相邻开口以最小特征尺寸隔开。此后，进行倾斜离子注入以向含半导体层的第一部分引入掺杂剂，其中实质上不含掺杂剂的其余部分存在于掩膜之下。相对于含半导体层的实质上不含掺杂剂的其余部分选择性地去除含半导体层的包含掺杂剂的第一部分以提供亚光刻尺寸的图案，并且向衬底中转移图案以提供亚光刻尺寸的鳍结构。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：在含半导体层顶上形成具有多个开口的掩膜，所述含半导体层位于衬底顶上；进行倾斜离子注入以向所述含半导体层的第一部分引入掺杂剂，其中所述含半导体层的在所述掩膜之下的其余部分实质上不含所述掺杂剂；相对于所述含半导体层的实质上不含所述掺杂剂的其余部分选择性地去除所述含半导体层的包含所述掺杂剂的所述第一部分以提供图案；以及向所述衬底中转移所述图案以提供宽度为亚光刻尺寸的鳍结构。