[发明专利]具有掺杂衬底的集成电路电感器

摘要

本发明提供一种具有掺杂区的集成电路电感器和衬底。衬底可以是p型衬底并且衬底可以具有n型掺杂区。n型掺杂区可以包括n型阱、深n型阱和n+区。n型掺杂区可以以条带图案形成，诸如在三角梳状图案条带或者系列L型条带。条带可以垂直于电感器的螺旋定向。可以向n型掺杂区施加正偏置电压以在n型掺杂区之间的衬底中创建耗尽区。耗尽区可以增加电感器和衬底之间的有效距离，最小化电感器和衬底之间的不期望的耦合效应以及提高电感器的效能。

主权项

一种集成电路，其包括：螺旋电感器；和位于所述螺旋电感器下方的具有n型掺杂区的p型衬底，其中所述n型掺杂区被正偏置使得所述p型衬底在所述n掺杂区之间被完全耗尽。