[发明专利]具有掺杂衬底的集成电路电感器在审
| 申请号： | 201080006334.X | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102301471A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | J·T·瓦特;S·陈 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 衬底 集成电路 电感器 | ||
1.一种集成电路，其包括：
螺旋电感器；和
位于所述螺旋电感器下方的具有n型掺杂区的p型衬底，其中所述n型掺杂区被正偏置使得所述p型衬底在所述n掺杂区之间被完全耗尽。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述n型掺杂区包括n型阱。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述n型掺杂区包括深n型阱。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述n型掺杂区包括n+区。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述n型掺杂区被设置在所述p型衬底上的L形条带中。
6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述n型掺杂区的条带包括n+条带。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述n+条带被硅化。
8.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述n型掺杂区的条带包括形成在n型阱的条带中的n+条带。
9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述n+条带被硅化。
10.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述n型掺杂区的条带包括形成在深n型阱上方的n型阱。
11.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述n型掺杂区的条带包括形成在n型阱的条带中的n+条带，其中所述n型阱形成在深n型阱上方。
12.根据权利要求11所述的集成电路，其中所述n+条带被硅化。
13.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述n型掺杂区被设置在所述p型衬底上的三角梳状图案的条带中，以及其中所述条带垂直于所述电感器的螺旋。
14.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述n型掺杂区的条带包括n型阱的条带。
15.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述n型掺杂区的条带包括n+条带。
16.根据权利要求15所述的集成电路，其中所述n+条带被硅化。
17.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述n型掺杂区的条带包括形成在n型阱的条带中的n+条带。
18.根据权利要求17所述的集成电路，其中所述n+条带被硅化。
19.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述n型掺杂区的条带包括形成在深n型阱上方的n型阱。
20.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述n型掺杂区的条带包括形成在n型阱的条带中的n+条带，以及其中所述n型阱形成在深n型阱上方。
21.根据权利要求20所述的集成电路，其中所述n+条带被硅化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔特拉公司，未经阿尔特拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080006334.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于体上和离体通信的收发机设备
- 下一篇：并行磁制冷机组件及制冷方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
