[发明专利]光固化性转印片、以及使用其的凹凸图案的形成方法无效
| 申请号： | 201080004245.1 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102272887A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 稻宫隆人;桥元贤志;甲斐田荣三 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B29C59/02;G11B7/26;B29K33/04;B29K83/00;B29L7/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光固化性转印片，其为在纳米压印加工法中，可有利地用于中间压模的制作的光固化性转印片，该光固化性转印片与此时所使用的具有微细凹凸图案的模具的剥离性、以及与从该中间压模转印凹凸图案而得到的产品的光固化树脂的剥离性良好，且，与基材薄膜的密合性良好；进而提供使用了该光固化性转印片的形成微细的凹凸图案的方法。光固化性转印片(10)，其特征在于，其为具有可通过加压变形的由光固化性组合物形成的光固化性转印层(11)的光固化性转印片(10)，其中，前述光固化性组合物作为润滑剂含有有机硅系树脂和/或含氟原子的烯属化合物，光固化性转印层(11的表面能超过20mN/m、不足30mN/m。进而，提供使用了该光固化性转印片10的形成凹凸图案的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光固化 性转印片 以及 使用 凹凸 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种光固化性转印片，其特征在于，所述光固化性转印片具有可通过加压变形的由光固化性组合物形成的光固化性转印层，其中，所述光固化性组合物作为润滑剂含有有机硅系树脂和/或含氟原子的烯属化合物，光固化性转印层的表面能超过20mN/m、不足30mN/m。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
