[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201080004056.4 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102272918A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 村久木康夫;岩成俊一;中尾良昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置，在小型化和高集成化的要求逐渐提高的情况下，在存储单元A、B的电容元件的下层，横跨相邻的2个存储单元A、B形成以稳定电源电压等目的需要搭载的平滑电容。由此，能缩小大容量的平滑电容的占有面积实现高集成化，同时可搭载该大容量的平滑电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其具备：多个位线，在列方向排列配置；多个字线，在行方向排列配置；和存储单元阵列，配置在所述位线与所述字线的交叉点，具有在所述位线与平板布线之间串联连接的选择元件和第1电容元件，由将所述选择元件的控制端子连接于所述字线的多个存储单元构成，在所述第1电容元件的下层，横跨所述2个以上的所述存储单元，具备第2电容元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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