[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具备：

多个位线，在列方向排列配置；

多个字线，在行方向排列配置；和

存储单元阵列，配置在所述位线与所述字线的交叉点，具有在所述位线与平板布线之间串联连接的选择元件和第1电容元件，由将所述选择元件的控制端子连接于所述字线的多个存储单元构成，

在所述第1电容元件的下层，横跨所述2个以上的所述存储单元，具备第2电容元件。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

连接于所述选择元件的所述第1电容元件的电极的短边长度与长边长度不同。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

在所述存储单元阵列的周围具备不作为存储单元使用的伪存储单元阵列，

所述伪存储单元阵列的位线与所述第2电容元件的端子连接。

4.根据权利要求1～3的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述选择元件是第1MOS晶体管，所述第2电容元件是第2MOS晶体管。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

所述第1MOS晶体管的栅极氧化膜厚与所述第2MOS晶体管的栅极氧化膜厚不同。

6.根据权利要求4或5所述的半导体存储装置，其中，

所述第1MOS晶体管的源极和漏极的方向、与所述第2MOS晶体管的源极和漏极的方向不同。

7.根据权利要求4～6的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述第1和第2的MOS晶体管是NMOS晶体管。

8.根据权利要求4～7的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述第1MOS晶体管的所述控制端子是栅极电极。

9.根据权利要求1～8的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述第2电容元件的第1端子的连接电位是电源电压，所述第2电容元件的第2端子的连接电位是接地电位。

10.根据权利要求1～8的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述第2电容元件的第1端子的连接电位是驱动字线的电源电压，所述第2电容元件的第2端子的连接电位是接地电位。

11.根据权利要求1～8的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述第2电容元件的第1端子的连接电位是搭载于外围电路部的内部电源电路的电源电压，所述第2电容元件的第2端子的连接电位是接地电位。

12.根据权利要求1～11的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述第1电容元件是铁电体电容。

13.根据权利要求1～12的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述多个位线与所述第1电容元件相比配置在下方。

14.根据权利要求1～12的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述多个位线与所述第1电容元件相比配置在上方。

15.根据权利要求1～14的任意一项所述的半导体存储装置，其中，

所述多个存储单元包括第1存储单元和第2存储单元，

所述第1存储单元的选择元件具有：所述第1存储单元中包含的第1电容元件所连接的第1扩散区域、和连接于位线的第2扩散区域，

所述第2存储单元的选择元件具有：所述第2存储单元中包含的第1电容元件所连接的第3扩散区域、和连接于位线的第4扩散区域，

所述第1存储单元的选择元件的栅极电极与所述第2存储单元的选择元件的栅极电极连接于不同的字线，

在所述第1扩散区域与所述第3扩散区域之间，配置所述第2电容元件。