[发明专利]有机半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080002106.5 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102292816A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 受田高明 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/312;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及有机半导体装置及其制造方法。提供能够防止有机半导体层劣化的有机半导体装置。具备：基板(11)；在基板上形成的栅电极(12)；在栅电极上形成的栅绝缘膜(13)；在栅绝缘膜上形成的漏电极(14)；以包围漏电极的方式形成的环状的源电极(15)；形成于栅绝缘膜上的由源电极包围的区域的有机半导体层(17)；形成于栅绝缘膜上源电极的外侧的导电性引导部件(16)；以及在由导电性引导部件包围的区域形成的保护膜(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机半导体装置，具备：基板；栅电极，其形成于所述基板上；栅绝缘膜，其形成于所述栅电极上；第1电极，其为在所述栅绝缘膜上形成的源电极和漏电极的任一方；环状的第2电极，其为在所述栅绝缘膜上形成的源电极和漏电极的另一方的电极、并形成为包围所述第1电极；有机半导体层，其涂敷于所述栅绝缘膜上的、由所述环状的第2电极包围的区域以使其覆盖所述第1电极，并由所述环状的第2电极规定其外周；环状的导电性引导部件，其形成于所述栅绝缘膜上、所述环状的第2电极的外侧；以及对所述有机半导体层进行保护的保护膜，其涂敷于由所述环状的导电性引导部件包围的区域以使其覆盖所述有机半导体层，并由所述环状的导电性引导部件规定其外周。
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