[发明专利]有机半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机半导体装置，具备：

基板；

栅电极，其形成于所述基板上；

栅绝缘膜，其形成于所述栅电极上；

第1电极，其为在所述栅绝缘膜上形成的源电极和漏电极的任一方；

环状的第2电极，其为在所述栅绝缘膜上形成的源电极和漏电极的另一方的电极、并形成为包围所述第1电极；

有机半导体层，其涂敷于所述栅绝缘膜上的、由所述环状的第2电极包围的区域以使其覆盖所述第1电极，并由所述环状的第2电极规定其外周；

环状的导电性引导部件，其形成于所述栅绝缘膜上、所述环状的第2电极的外侧；以及

对所述有机半导体层进行保护的保护膜，其涂敷于由所述环状的导电性引导部件包围的区域以使其覆盖所述有机半导体层，并由所述环状的导电性引导部件规定其外周。

2.根据权利要求1所述的有机半导体装置，

进一步具备在所述保护膜上形成的层间绝缘膜。

3.根据权利要求1或2所述的有机半导体装置，

所述环状的第2电极为环状的源电极，

对所述环状的导电性引导部件施加与施加于所述环状的源电极的电压相同电位的电压。

4.根据权利要求3所述的有机半导体装置，

施加于所述环状的导电性引导部件以及所述环状的源电极的电压为0V。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的有机半导体装置，

所述保护膜包含由光交联的高分子材料或低分子材料。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的有机半导体装置，

所述保护膜包含由光及热交联的高分子材料或低分子材料。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的有机半导体装置，

所述环状的第2电极为以所述第1电极为中心的连续的环状形状。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的有机半导体装置，

所述环状的第2电极为圆形形状。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的有机半导体装置，

所述环状的导电性引导部件为圆形形状。

10.根据权利要求1～7中的任一项所述的有机半导体装置，

所述环状的第2电极为矩形形状。

11.根据权利要求1～7、10中的任一项所述的有机半导体装置，

所述环状的导电性引导部件为矩形形状。

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的有机半导体装置，

所述第1电极、所述环状的第2电极以及所述环状的导电性引导部件，以所述栅绝缘膜为形成的基础，形成为同一高度。

13.根据权利要求1～11中的任一项所述的有机半导体装置，

所述第1电极、所述环状的第2电极以及所述环状的导电性引导部件由同一材料形成。

14.根据权利要求1～13中的任一项所述的有机半导体装置，

进一步具备：

引出布线，其在所述基板上与所述栅电极同层地形成；和

接触部，其形成于所述第1电极的下方、且形成于所述栅绝缘膜，

所述第1电极经由所述接触部与所述引出布线电连接。

15.一种有机半导体装置制造方法，包括：

第1工序，准备基板；

第2工序，在所述基板上形成栅电极；

第3工序，在所述栅电极上形成栅绝缘膜；

第4工序，在所述栅绝缘膜上形成金属膜；

第5工序，通过预定的图形化从所述金属膜形成第1电极、环状的第2电极以及环状的导电性引导部件，所述第一电极为源电极和漏电极的任一方，所述环状的第2电极为源电极和漏电极的另一方，所述环状的导电性引导部件包围所述环状的第2电极的外周；

第6工序，在由所述环状的第2电极包围的区域以覆盖所述第1电极的方式涂敷有机半导体层的材料，形成外周由所述环状的第2电极规定的有机半导体层；以及

第7工序，在由所述环状的导电性引导部件包围的区域以覆盖所述有机半导体层的方式涂敷预定的材料，形成外周由所述环状的导电性引导部件规定的对所述有机半导体层进行保护的保护膜。