[发明专利]有机半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及作为有机薄膜晶体管等的有机半导体装置及其制造方法。

背景技术

以往以来，在液晶显示器或有机电致发光(EL)显示器等有源矩阵驱动型平板显示器(FPD)中，为了驱动像素使用了被称为薄膜晶体管(TFT)的开关元件。

近年来，作为下一代FPD或电子纸等中的像素驱动等的开关元件，有机薄膜晶体管备受注目，以往以来提出了各种有机薄膜晶体管(例如，参照专利文献1)。

以下，使用图13A及图13B对专利文献1所公开的以往的有机薄膜晶体管进行说明。图13A涉及以往的有机薄膜晶体管的俯视图、为表示漏电极、源电极以及栅电极的俯视图。图13B是沿图13A中示出的G-G’线剖切的以往的有机薄膜晶体管的剖视图。

如图13A及图13B所示，以往的有机薄膜晶体管101具备：基板111、在基板111上形成的圆形的栅电极112、在栅电极112上形成的栅绝缘膜113、在栅绝缘膜113上形成的圆形的漏电极114、以及在栅绝缘膜113上形成于漏电极114的周围的环状的源电极115。

另外，以往的有机薄膜晶体管101，以填埋漏电极114和源电极115之间的方式，在包括漏电极114及源电极115的区域上形成了有机半导体层117。有机半导体层117通过从漏电极114上涂敷包含有机半导体材料的溶液进行成膜。

而且，在以往的有机薄膜晶体管101中，为了抑制有机半导体层117由于空气中的水分和/或氧而劣化的情况，在有机半导体层117上形成钝化膜120。

专利文献1：日本特开2007-273957号公报

发明内容

但是，在以往的有机薄膜晶体管101中，在有机半导体层117上形成的钝化膜120是涂敷于有机薄膜晶体管101的整个面而形成的，作为有机半导体层117本身的保护膜并没有充分发挥作用。

因此，在以往的有机薄膜晶体管101中，存在如下问题：不能完全抑制水分和/或氧等侵入有机半导体层117而使有机半导体层117劣化，阈值电压Vt发生变动。

本发明是用于解决上述问题而作出的发明，目的在于提供能够有效地保护有机半导体层并防止有机半导体层劣化的有机半导体装置及其制造方法。

为了解决上述问题，本发明涉及的有机半导体装置的一种方式，具备：基板；栅电极，其形成于所述基板上；栅绝缘膜，其形成于所述栅电极上；第1电极，其为在所述栅绝缘膜上形成的源电极和漏电极的任一方；环状的第2电极，其为在所述栅绝缘膜上源电极和漏电极的另一方的电极、并形成为包围所述第1电极；有机半导体层，其涂敷于所述栅绝缘膜上的、由所述环状的第2电极包围的区域以使其覆盖所述第1电极，并由所述环状的第2电极规定其外周；环状的导电性引导部件，其形成于所述栅绝缘膜上、所述环状的第2电极的外侧；以及对所述有机半导体层进行保护的保护膜，其涂敷于由所述环状的导电性引导部件包围的区域以覆盖所述有机半导体层，并由所述环状的导电性引导部件规定其外周。

根据本发明涉及的有机半导体装置，能够通过保护膜抑制水分、氧或者杂质侵入有机半导体层的情况，因此能够防止有机半导体层的劣化。从而，能够实现阈值电压变动少的有机半导体装置。

附图说明

图1A涉及本发明的实施方式1的有机半导体装置的俯视图、为表示漏电极、源电极以及导电性引导部件的俯视图。

图1B涉及本发明的实施方式1的有机半导体装置的俯视图、为表示栅电极、漏布线以及源布线的俯视图。

图1C是沿图1A中示出的A-A’线剖切的本发明的实施方式1的有机半导体装置的剖视图。

图1D是沿图1A中示出的B-B’线剖切的本发明的实施方式1的有机半导体装置的剖视图。

图2是对于本发明的实施方式1的有机半导体装置与比较例的有机半导体装置表示栅电压与漏电流的关系的图。

图3A涉及比较例的有机半导体装置的俯视图、为表示漏电极及源电极的俯视图。

图3B是沿图3A中示出的C-C’线剖切的比较例的有机半导体装置的剖视图。

图4是在有源矩阵型的显示装置中示意性地表示了2个像素的结构的图。

图5A是表示本发明的实施方式1的有机半导体装置的制造方法中的步骤S101的工序的图。

图5B是表示本发明的实施方式1的有机半导体装置的制造方法中的步骤S102的工序的图。

图5C是表示本发明的实施方式1的有机半导体装置的制造方法中的步骤S103的工序的图。