[实用新型]硅PNP型高频小功率晶体管有效
| 申请号： | 201020676224.1 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN201985100U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张俊;张顺英 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L29/26 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孙忠明 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 硅PNP型高频小功率晶体管，包括P型衬底硅片(7)，其中，该P型衬底硅片(7)的外表面形成有由三族元素中的任一种元素与金形成的合金复合层。本实用新型的硅PNP型高频小功率晶体管按一定比例将三族元素中的任一种，例如镓掺入纯金替代原来晶体管的背金(即背面金属化)，使得合金复合层达到一定的厚度和金层总量的要求，并对衬底硅片的背面，即外表面形成一定深度的渗入。实验证实，本实用新型的硅PNP型高频小功率晶体管有利于成品芯片在封装过程中提高可焊性、降低所述硅PNP高频小功率晶体管的饱和压降、降低饱和压降的变化率，提高晶体管性能参数的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | pnp 高频 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
硅PNP型高频小功率晶体管，包括P型衬底硅片(7)，其特征是，该P型衬底硅片(7)的外表面设有由三族元素中的任一种元素与金形成的合金复合层。
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