[实用新型]硅PNP型高频小功率晶体管有效
| 申请号： | 201020676224.1 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN201985100U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张俊;张顺英 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L29/26 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孙忠明 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pnp 高频 功率 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.硅PNP型高频小功率晶体管，包括P型衬底硅片(7)，其特征是，该P型衬底硅片(7)的外表面设有由三族元素中的任一种元素与金形成的合金复合层。
2.根据权利要求1所述的硅PNP型高频小功率晶体管，其特征是，所述三族元素为镓，所述P型衬底硅片(7)的外表面设有金镓合金复合层。
3.根据权利要求2所述的硅PNP型高频小功率晶体管，其特征是，所述金镓合金复合层通过蒸镀或溅镀工艺形成在所述P型衬底硅片(7)的外表面。
4.根据权利要求2所述的硅PNP型高频小功率晶体管，其特征是，所述金镓合金复合层在所述P型衬底硅片(7)外表面的厚度为1至2微米，并且该金镓合金复合层扩散到所述P型衬底硅片(7)内的深度为0.3至1微米。
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