[实用新型]有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置有效
| 申请号： | 201020599558.3 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN201868389U | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 曾德强;吴永皓;朱海波;严凯;蒋荣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种蚀刻装置，尤其涉及一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置。这种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，包括基座、用于吸附晶圆的晶圆吸附盘和调焦环，所述晶圆吸附盘设于所述基座上方，所述调焦环环绕设置于所述晶圆的外侧，所述调焦环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道。本实用新型有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，结构简单、使用方便，通过在调焦环的背部增设供冷却剂流通的第一冷却通道来控制晶圆边缘的温度，从而控制晶圆边缘部分的关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 有效 控制 边缘 部分 关键 尺寸 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，包括基座、用于吸附晶圆的晶圆吸附盘和调焦环，所述晶圆吸附盘设于所述基座上方，其特征在于，所述调焦环环绕设置于所述晶圆的外侧，所述调焦环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
