[实用新型]有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置有效

专利信息
申请号: 201020599558.3 申请日: 2010-11-09
公开(公告)号: CN201868389U 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 曾德强;吴永皓;朱海波;严凯;蒋荣 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01J37/32
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 有效 控制 边缘 部分 关键 尺寸 蚀刻 装置
【权利要求书】:

1.一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置,包括基座、用于吸附晶圆的晶圆吸附盘和调焦环,所述晶圆吸附盘设于所述基座上方,其特征在于,所述调焦环环绕设置于所述晶圆的外侧,所述调焦环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道。

2.如权利要求1所述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置,其特征在于,所述第一冷却通道是环状的。

3.如权利要求2所述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置,其特征在于,所述第一冷却通道具有两个第一冷却通道的进口和两个第一冷却通道的出口,所述两个第一冷却通道的进口相对设置,所述两个第一冷却通道的出口相对设置,且所述两个第一冷却通道的出口分别离所述两个第一冷却通道的进口的距离相等。

4.如权利要求3所述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置,其特征在于,所述第一冷却通道的进口设于所述调焦环的下表面,所述第一冷却通道的出口设于所述调焦环的外侧周面。

5.如权利要求1所述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置,其特征在于,所述晶圆吸附盘的内部设有供冷却剂流通的第二冷却通道。

6.如权利要求5所述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置,其特征在于,所述第一冷却通道和第二冷却通道分别与冷却剂源输入管连通。

7.如权利要求6所述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置,其特征在于,所述第二冷却通道具有第二冷却通道的进口和第二冷却通道的出口,所述第二冷却通道的进口设于所述晶圆吸附盘的下表面,且与所述冷却剂源输入管接通,第二冷却通道的出口设于所述晶圆吸附盘的外侧周面。

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