[实用新型]有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种蚀刻装置，尤其涉及一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置。

背景技术

在半导体蚀刻工艺中，请参见图1，图1所示是现有的蚀刻装置的结构示意图。从图1可见，现有的蚀刻装置包括基座1、用于吸附晶圆4的晶圆吸附盘2和调焦环3，所述晶圆吸附盘2设于所述基座1上方，所述调焦环3环绕设置于所述晶圆4的外侧，所述晶圆吸附盘2的内部设有供冷却剂流通的第二冷却通道，所述第二冷却通道与冷却剂源输入管5连通。

在蚀刻工程中，在物理轰击、化学蚀刻和化学沉淀交叉复合作用下，调焦环的温度比较高。当冷却剂流经第二冷却通道时，可以对晶圆进行降温。但是由于调焦环的温度比较高，使得靠近调焦环的晶圆边缘受到调焦环热度的影响。因而晶圆边缘的温度比晶圆的中部的温度要高。然而，在蚀刻过程中，若晶圆的温度过高，会造成不容易沉淀和沉淀不均匀现象产生，从而造成蚀刻后的晶圆边缘部分关键尺寸发生偏差，致使产品良率下降。

因此，如何提供一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，通过在调焦环的背部增设供冷却剂流通的第一冷却通道来控制晶圆的温度，从而控制晶圆边缘部分的关键尺寸。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，包括基座、用于吸附晶圆的晶圆吸附盘和调焦环，所述晶圆吸附盘设于所述基座上方，所述调焦环环绕设置于所述晶圆的外侧，所述调焦环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道。

在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第一冷却通道是环状的。

在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第一冷却通道具有两个第一冷却通道的进口和两个第一冷却通道的出口，所述两个第一冷却通道的进口相对设置，所述两个第一冷却通道的出口相对设置，且所述两个第一冷却通道的出口分别离所述两个第一冷却通道的进口的距离相等。

在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第一冷却通道的进口设于所述调焦环的下表面，所述第一冷却通道的出口设于所述调焦环的外侧周面。

在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述晶圆吸附盘的内部设有供冷却剂流通的第二冷却通道。

在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第一冷却通道和第二冷却通道分别与冷却剂源输入管连通。

在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第二冷却通道具有第二冷却通道的进口和第二冷却通道的出口，所述第二冷却通道的进口设于所述晶圆吸附盘的下表面，且与所述冷却剂源输入管接通，第二冷却通道的出口设于所述晶圆吸附盘的外侧周面。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，结构简单、使用方便，通过在调焦环的背部增设供冷却剂流通的第一冷却通道来控制晶圆边缘的温度，从而控制晶圆边缘部分的关键尺寸。

附图说明

本实用新型的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置由以下的实施例及附图给出。

图1是现有的蚀刻装置的结构示意图；

图2是本实用新型的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置的结构示意图；

图3是本实用新型的调焦环的俯视示意图。

图中，1-基座、2-晶圆吸附盘、3-调焦环、31-第一冷却通道、311-第一冷却通道的进口、312-第一冷却通道的出口、4-晶圆、5-冷却剂源输入管。

具体实施方式

以下将对本实用新型的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置作进一步的详细描述。

下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。