[实用新型]单晶硅生长炉的石墨坩埚无效
| 申请号： | 201020596603.X | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN201842895U | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡光进;李国迪;蒋明霞 | 申请（专利权）人： | 浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 瑞安市翔东知识产权代理事务所 33222 | 代理人： | 薛辉 |
| 地址： | 325200 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征在于：所述石墨坩埚选用三瓣式石墨坩埚，三瓣式石墨坩埚的各瓣坩埚片顶部之间通过联接件连接。本实用新型能降低单晶硅生产中的氧含量，还能对本身及设于石墨坩埚内的石英坩埚起到有效的保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征在于：所述石墨坩埚选用三瓣式石墨坩埚。
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