[实用新型]单晶硅生长炉的石墨坩埚无效
| 申请号： | 201020596603.X | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN201842895U | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡光进;李国迪;蒋明霞 | 申请（专利权）人： | 浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 瑞安市翔东知识产权代理事务所 33222 | 代理人： | 薛辉 |
| 地址： | 325200 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 石墨 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征在于：所述石墨坩埚选用三瓣式石墨坩埚。
2.如权利要求1所述的单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征在于：三瓣式石墨坩埚的各瓣坩埚片顶部之间通过联接件连接。
3. 如权利要求2所述的单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征在于：所述联接件是两头弯曲的金属卡线，卡线设在相邻两瓣坩埚片的顶部结合处，相邻两瓣坩埚片的顶部设有孔洞，卡线的两端穿进孔洞将相邻的两瓣坩埚片连接。
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