[实用新型]单晶硅生长炉的石墨坩埚无效
| 申请号: | 201020596603.X | 申请日: | 2010-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN201842895U | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
| 发明(设计)人: | 蔡光进;李国迪;蒋明霞 | 申请(专利权)人: | 浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/10 | 分类号: | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司: | 瑞安市翔东知识产权代理事务所 33222 | 代理人: | 薛辉 |
| 地址: | 325200 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单晶硅 生长 石墨 坩埚 | ||
技术领域
本实用新型涉及的是一种单晶硅生产设备,特别涉及的是一种单晶硅生长炉的石墨坩埚。
背景技术
传统的太阳能单晶硅生长炉的石墨坩埚基本选用单瓣式的,单瓣式石墨坩埚结构简单,自身具备优点,但是它有它的缺点,如坩埚底部保温较差,这样对于设于石墨坩埚内的石英坩埚来说,其内部盛装的硅料熔体上下温差较大,提高了熔体的加热温度,其结果是增加了硅料与石英坩埚的反应速度,熔体的轴向热对流加快,最终导致单晶硅生产中的氧含量提高,降低了单晶硅的生产质量。
发明内容
鉴于目前公知技术存在的问题,本实用新型要解决的技术问题是在于提供一种能降低单晶硅生产中的氧含量,对本身及石英坩埚具有保护作用的单晶硅生长炉石墨坩埚。
为解决上述技术问题,本实用新型是采取如下技术方案来完成的:
单晶硅生长炉的石墨坩埚,其特征在于:所述石墨坩埚选用三瓣式石墨坩埚。三瓣式石墨坩埚的底部保温较好,这样就有效防止出现石英坩埚内的硅料熔体上下温差较大的情况,可以降低熔体的加热温度,这一方面降低了硅料与石英坩埚的反应速度,另一方面使熔体的轴向热对流减弱,所以就降低了单晶硅生产中的氧含量,提高了单晶硅的生产质量。
三瓣式石墨坩埚的各瓣坩埚片顶部之间通过联接件连接。由于单晶硅生长炉需经常开炉和停炉,在温度急剧变化的恶劣工况下,石墨坩埚在使用一段时间后容易产生开裂,特别对三瓣式石墨坩埚来说,开裂后容易断裂,这样对于设于石墨坩埚内的石英坩埚来说失去支撑就很容易损坏,导致石英坩埚内的硅料熔体外溢,产生不良后果,所以三瓣式石墨坩埚的各瓣坩埚片顶部之间通过联接件连接,可以对本身和石英坩埚起到有效的保护作用。
作为优选,所述联接件是两头弯曲的金属卡线,卡线设在相邻两瓣坩埚片的顶部结合处,相邻两瓣坩埚片的顶部设有孔洞,卡线的两端穿进孔洞将相邻的两瓣坩埚片连接。
附图说明
本实用新型有如下附图。
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1的俯视图。
具体实施方式
参照附图1、2,该种单晶硅生长炉的石墨坩埚,选用三瓣式石墨坩埚,三瓣式石墨坩埚由三瓣坩埚片1和共同的托盘2组成,三瓣式石墨坩埚的各瓣坩埚片1顶部之间通过联接件3连接,所述联接件3是两头弯曲的金属卡线,卡线设在相邻两瓣坩埚片的顶部结合处,相邻两瓣坩埚片的顶部设有孔洞,卡线的两端穿进孔洞将相邻的两瓣坩埚片连接。
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