[实用新型]高可靠功率混合集成电路有效
| 申请号: | 201020182220.8 | 申请日: | 2010-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN201829493U | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
| 发明(设计)人: | 杨成刚;苏贵东;周正钟 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/373 |
| 代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
| 地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了高可靠功率混合集成电路,该电路包括器件管基金属底座(1)、陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、无源元件(4)、阻带(5)、导带/键合区(6)和管脚(9),陶瓷基片(2)与管基金属底座(1)之间用金属焊料焊接,陶瓷基片(2)的正面是常规混合集成电路,包括半导体芯片(3)、无源元件(4)、阻带(5)、导带/键合区(6);管脚(9)装在管基金属底座(1)的两端;其特征在于陶瓷基片(2)背面与管基金属底座(1)之间有多层复合薄膜(7)和沟形网状金属层(8)。本集成电路基片背面金属化层全部为纯金属层,用沟状网减少基片的气泡及针孔,提高电路的致密性、附着力、热传导性,使其快速散热,保证电路的可靠性。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。 | ||
| 搜索关键词: | 可靠 功率 混合 集成电路 | ||
【主权项】:
一种高可靠功率混合集成电路,该电路包括器件管基金属底座(1)、陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、无源元件(4)、阻带(5)、导带/键合区(6)和管脚(9),陶瓷基片(2)与管基金属底座(1)之间用金属焊料焊接,陶瓷基片(2)的正面是常规混合集成电路,包括半导体芯片(3)、无源元件(4)、阻带(5)、导带/键合区(6);管脚(9)装在管基金属底座(1)的两端;其特征在于陶瓷基片(2)背面与管基金属底座(1)之间有多层复合薄膜(7)和沟形网状金属层(8)。
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