[实用新型]高可靠功率混合集成电路有效
| 申请号： | 201020182220.8 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN201829493U | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 杨成刚;苏贵东;周正钟 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/373 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可靠 功率 混合 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种高可靠功率混合集成电路，该电路包括器件管基金属底座(1)、陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、无源元件(4)、阻带(5)、导带/键合区(6)和管脚(9)，陶瓷基片(2)与管基金属底座(1)之间用金属焊料焊接，陶瓷基片(2)的正面是常规混合集成电路，包括半导体芯片(3)、无源元件(4)、阻带(5)、导带/键合区(6)；管脚(9)装在管基金属底座(1)的两端；其特征在于陶瓷基片(2)背面与管基金属底座(1)之间有多层复合薄膜(7)和沟形网状金属层(8)。
2.如权利要求1所述混合集成电路，其特征在于所述多层复合薄膜(7)是高真空溅射的Cu-Ni-Cr-Au复合薄膜。
3.如权利要求1所述混合集成电路，其特征在于所述沟形网状金属层(8)是在多层复合薄膜的基础上，采用机械掩模的方法，在高真空环境中，再溅射一层Cu-Ni-Cr-Au复合薄膜，形成的沟状网。
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