[发明专利]三维半导体装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201010624357.9 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102194824A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 孙龙勋;李明范;黄棋铉;白昇宰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维半导体装置及其操作方法，该三维半导体装置包括二维地布置在基底上的有源图案、三维地布置在有源图案之间的电极、三维地布置在由有源图案和电极限定的交叉点处的存储区域。每个有源图案用作用于电连接形成在距基底高度相同处的两个不同的存储区域的共用电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种三维半导体装置，包括：电极结构，包括三维布置的多个电极；多个有源图案，穿过所述电极结构；信息存储元件，设置在所述电极结构和所述多个有源图案之间，其中，位于有源图案之一的相对侧的两个电极电隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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