[发明专利]三维半导体装置及其操作方法

权利要求书

1.一种三维半导体装置，包括：

电极结构，包括三维布置的多个电极；

多个有源图案，穿过所述电极结构；

信息存储元件，设置在所述电极结构和所述多个有源图案之间，

其中，位于有源图案之一的相对侧的两个电极电隔离。

2.如权利要求1所述的三维半导体装置，其中，所述电极结构包括第一电极组至第m电极组，所述第一电极组至第m电极组均包括多个垂直堆叠的电极，第一电极组至第m电极组是从第一电极组至第m电极组水平地布置的，其中，m是自然数，

其中，有源图案设置在第(2n+1)电极组和第(2n+2)电极组之间，其中，n是自然数，

第(2n+1)电极组中的电极中的至少一个电极与第(2n+2)电极组中的所有电极电隔离。

3.如权利要求2所述的三维半导体装置，其中，所述三维半导体装置包括第一连接区域、第二连接区域以及在第一连接区域和第二连接区域之间的单元阵列区域，

其中，位于相同高度处的第(2n+1)电极组中的电极和第(2n+3)电极组中的电极在第一连接区域中连接并处于等电势状态，

其中，位于相同高度处的第(2n+2)电极组中的电极和第(2n+4)电极组中的电极在第二连接区域中连接并处于等电势状态。

4.如权利要求2所述的三维半导体装置，其中，所述三维半导体装置包括第一连接区域、第二连接区域以及在第一连接区域和第二连接区域之间的单元阵列区域，

其中，位于相同高度处的第(2n+2)电极组中的电极和第(2n+3)电极组中的电极在第一连接区域中彼此连接并处于等电势状态，

其中，位于相同高度处的第(2n+4)电极组中的电极和第(2n+5)电极组中的电极在第二连接区域中彼此连接并处于等电势状态。

5.如权利要求2所述的三维半导体装置，其中，所述三维半导体装置包括第一连接区域、第二连接区域以及在第一连接区域和第二连接区域之间的单元阵列区域，

所述三维半导体装置还包括：

第一互连线，连接到第一连接区域中的电极；

第二互连线，连接到第二连接区域中的电极。

6.如权利要求5所述的三维半导体装置，其中，每条第一互连线电连接位于相同高度处的第(2n+1)电极组中的电极和第(2n+3)电极组中的电极，每条第二互连线电连接位于相同高度处的第(2n+2)电极组中的电极和第(2n+4)电极组中的电极。

7.如权利要求5所述的三维半导体装置，其中，每条第一互连线电连接位于相同高度处的第(2n+2)电极组中的电极和第(2n+3)电极组中的电极，每条第二互连线电连接位于相同高度处的第(2n+4)电极组中的电极和第(2n+5)电极组中的电极。

8.如权利要求5所述的三维半导体装置，所述三维半导体装置还包括位线，所述位线连接到有源图案并与单元阵列区域中的电极交叉，其中，第一互连线和第二互连线与位线具有基本相同的材料、高度、或厚度。

9.如权利要求1所述的三维半导体装置，所述三维半导体装置还包括：

基底，设置在所述电极结构下方；

源极线，设置在所述电极结构下方，

其中，源极线包括与基底和有源图案相比导电类型不同的半导体材料。

10.如权利要求9所述的三维半导体装置，其中，所述电极结构包括：第一电极组至第m电极组，均包括多个垂直堆叠的电极，第一电极组至第m电极组是从第一电极组至第m电极组水平地布置的，其中，m是自然数，

其中，源极线包括形成在基底中并位于第(2n+2)电极组和第(2n+3)电极组之间的杂质区域，其中，n是自然数。

11.如权利要求1所述的三维半导体装置，所述三维半导体装置还包括：

半导体垫，设置在有源图案上；

位线，与电极交叉，并电连接到半导体垫，

其中，半导体垫由导电类型与有源图案的至少一部分的导电类型不同的半导体材料形成。

12.如权利要求1所述的三维半导体装置，其中，每个有源图案包括彼此分开的第一区域和第二区域，其中，第一区域和第二区域被形成为面对两个相邻的电极组的相应侧壁。