[发明专利]高纯二氧化锗生产方法无效
| 申请号： | 201010622450.6 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102534268A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 袁琴;王铁艳;武鑫萍;莫杰;刘福财;毛威 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
| 主分类号： | C22B41/00 | 分类号： | C22B41/00;C01G17/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高纯二氧化锗生产方法，它包括以下步骤：1)对含锗废料检测、焙烧处理；2)氯化蒸馏；复蒸；精馏提纯而得到高纯GeCl4；3)水解GeCl4制备Ge02；4)对水解产物的洗涤、离心分离、微波烘干和罐装。本发明的优点是：工艺合理，产率高，扩大产量，并可减少工人的劳动强度。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 氧化 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯二氧化锗生产方法，其特征在于：它包括以下步骤：1)对含锗废料检测、焙烧处理；2)氯化蒸馏；复蒸；精馏提纯而得到高纯GeCl4；3)水解GeCl4制备Ge02；4)对水解产物的洗涤、离心分离、微波烘干和罐装。
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