[发明专利]半导体背面用切割带集成膜有效
| 申请号： | 201010621812.X | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102161869A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高本尚英;松村健;志贺豪士 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/77;H01L21/68;H01L21/50;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述切割带的压敏粘合剂层与所述倒装芯片型半导体背面用膜之间的剥离力(温度：23℃，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0.05N/20mm至1.5N/20mm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 背面 切割 集成 | ||
【主权项】：
一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述切割带的压敏粘合剂层与所述倒装芯片型半导体背面用膜之间的剥离力(温度：23℃，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0.05N/20mm至1.5N/20mm。
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