[发明专利]半导体背面用切割带集成膜

说明书

技术领域

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。将倒装芯片型半导体背面用膜用于保护芯片形工件(例如半导体芯片)的背面和增强强度。此外，本发明涉及使用半导体背面用切割带集成膜的半导体器件和生产所述器件的方法。

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中将半导体芯片(芯片形工件)以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板的那些(即，通过倒装芯片接合生产的半导体芯片，或倒装芯片安装的半导体器件)。在此类半导体器件等中，在一些情况下半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护以抑制半导体芯片损坏(参见，例如，专利文献1至10)。

专利文献1：JP-A-2008-166451

专利文献2：JP-A-2008-006386

专利文献3：JP-A-2007-261035

专利文献4：JP-A-2007-250970

专利文献5：JP-A-2007-158026

专利文献6：JP-A-2004-221169

专利文献7：JP-A-2004-214288

专利文献8：JP-A-2004-142430

专利文献9：JP-A-2004-072108

专利文献10：JP-A-2004-063551

发明内容

然而，将用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，以致步骤的数量增加和成本等增加。此外，由于近年来的薄型化，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能损坏半导体芯片。因此，期望增强半导体晶片或半导体芯片直至拾取步骤。

考虑到前述问题发明本发明，其目的在于提供从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。此外，本发明的另一目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体晶片的切割步骤中显示优良的保持力，能够在切割步骤后的拾取步骤中将通过切割形成的半导体芯片与倒装芯片型半导体背面用膜一起以优良的拾取性从切割带的压敏粘合剂层剥离，并且在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够进一步显示优良的外观性。

作为为解决上述常规问题进行深入研究的结果，本发明人已发现，当将倒装芯片型半导体背面用膜层压在具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜并且进一步将所述倒装芯片型半导体背面用膜与切割带的压敏粘合剂层之间的剥离力(或粘合力)设定为特定值时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割带集成膜)，以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持力，在切割步骤后的拾取步骤中将通过切割形成的半导体芯片与倒装芯片型半导体背面用膜一起以优良的拾取性从切割带的压敏粘合剂层剥离，并且在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够显示优良的外观性，由此完成本发明。

即，本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：

切割带，所述切割带包括基材和形成于所述基材上的压敏粘合剂层；和

倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，

其中所述切割带的压敏粘合剂层与所述倒装芯片型半导体背面用膜之间的剥离力(温度：23℃，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0.05N/20mm至1.5N/20mm。