[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统有效
| 申请号： | 201010621713.1 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102142493A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 姜大成;郑明训 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括：反射层，该反射层包括具有第一折射率的第一GaN基半导体层、具有小于第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层、以及具有小于第二折射率的第三折射率的第三GaN基半导体层；和反射层上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 封装 以及 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：反射层，所述反射层包括具有第一折射率的第一GaN基半导体层、具有小于所述第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层、以及具有小于所述第二折射率的第三折射率的第三GaN基半导体层；和所述反射层上的发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层。
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