[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年1月29日提交的韩国专利申请No.10-2010-008573的优先权，通过引用将其整体合并在此。

技术领域

实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

最近，已经广泛地进行使用发光二极管(LED)的器件作为用于发射光的器件的研究。

LED使用化合物半导体的特性，以将电信号转换为光。LED具有其中第一导电类型半导体层、有源层、以及第二类型半导体层被堆叠的结构。在这里，电源被施加给结构以从有源层发射光。第一导电类型半导体层变成N型半导体层，并且第二导电类型半导体层变成P型半导体层。在这里，第一和第二导电半导体层可以变成彼此相对的导电类型半导体层。

第一电极层被设置在第一导电类型半导体层上，并且第二电极层被设置在第二导电类型半导体层上。

在发光器件中，电源被施加给第一和第二电极层，以从有源层发射光。因此，广泛地进行其中防止从有源层发射的光被吸收在发光器件中的研究，以提高发光器件的光效率。

发明内容

实施例提供具有新结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

实施例还提供具有被提高的光效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

在一个实施例中，一种发光器件，包括：反射层，该反射层包括具有第一折射率的第一GaN基半导体层、具有小于第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层、以及具有小于第二折射率的第三折射率的第三GaN基半导体层；和反射层上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。

在另一实施例中，一种制造发光器件的方法，包括：在衬底上交替地堆叠具有第一折射率的第一GaN基半导体层和具有小于第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层；在第二GaN基半导体层上形成掩模层，以选择性地去除第一GaN基半导体层和第二GaN基半导体层；在其中第一GaN基半导体层和第二GaN基半导体层被选择性地去除的区域中形成包括交替地堆叠的第二GaN基半导体层和第三GaN基半导体层的反射层；以及在反射层上形成发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。

在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会是显而易见的。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的视图。

图2是示出沿着根据第一实施例的发光器件的线I-I’截取的部分的示例的视图。

图3是示出沿着根据第一实施例的发光器件的线I-I’截取的部分的另一示例的视图。

图4是根据第二实施例的发光器件的视图。

图5至图9是用于解释制造根据实施例的发光器件的工艺的视图。

图10是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的视图。

图11是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。

图12是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的照明单元的视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或者膜)、区域、焊盘或者图案“上”时，它能够直接在另一层或者衬底上，或者还可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下面，并且还可以存在一个或者多个中间层。此外，将会基于附图进行关于在每层“上”和“下”的参考。

在附图中，为了便于描述和清晰，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。此外，每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。

在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件和制造发光器件的方法。

图1是根据第一实施例的发光器件的视图。图2是示出沿着根据第一实施例的发光器件的线I-I’截取的部分的示例的视图。图3是示出沿着根据第一实施例的发光器件的线I-I’截取的部分的另一示例的视图。