[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

反射层，所述反射层包括具有第一折射率的第一GaN基半导体层、具有小于所述第一折射率的第二折射率的第二GaN基半导体层、以及具有小于所述第二折射率的第三折射率的第三GaN基半导体层；和

所述反射层上的发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层和所述第二GaN基半导体层在垂直方向上被交替地堆叠在所述反射层的第一区域中，并且所述第二GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层在垂直方向上被交替地堆叠的所述反射层的第二区域中。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层和第三GaN基半导体层在水平方向上被交替地设置在所述反射层的第三区域中，并且所述第二GaN基半导体层被设置在所述反射层的第四区域中。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中以晶格形状沿着所述水平方向设置所述第一GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层。

5.根据权利要求3所述的发光器件，其中以条纹形状沿着所述水平方向设置所述第一GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层。

6.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层和第二GaN基半导体层在水平方向上被交替地设置在所述反射层的第三区域中，并且所述第二GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层被交替地设置在所述反射层的第四区域中。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中以晶格形状水平地设置所述第一GaN基半导体层和所述第二GaN基半导体层，并且以晶格形状水平地设置所述第二GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中以条纹形状水平地设置所述第一GaN基半导体层和所述第二GaN基半导体层，并且以条纹形状水平地设置所述第二GaN基半导体层和所述第三GaN基半导体层。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层包括InGaN层，所述第二GaN基半导体层包括GaN层，并且所述第三GaN基半导体层包括AlGaN层。

10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括氮化物半导体层和衬底，所述氮化物半导体层和衬底被设置在所述反射层下。

11.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电类型半导体层上的第一电极层和在所述第二导电类型半导体层上的第二电极层。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层、所述第二GaN基半导体层、以及所述第三GaN基半导体层中的每一个具有大约40nm至大约60nm的厚度。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一GaN基半导体层、所述第二GaN基半导体层、以及所述第三GaN基半导体层中的每一个具有大约40nm至大约50nm的宽度。

14.一种发光器件封装，包括：

封装主体；

第一和第二电极，所述第一和第二电极在所述封装主体上，所述第一和第二电极被彼此电气地分离；

根据权利要求1至权利要求14中的任何一项所述的发光器件，所述发光器件被设置在所述封装主体上并且电气地连接到所述第一和第二电极；以及

成型构件，所述成型构件包围所述发光器件。