[发明专利]自对准电荷平衡的功率双扩散金属氧化物半导体制备方法有效
| 申请号： | 201010620244.1 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102148159A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈军;李亦衡;管灵鹏;何佩天;马国荣;安荷·叭剌;哈姆扎·依玛兹 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了自对准电荷平衡的半导体器件以及制备这种器件的方法。一个或多个平面栅极形成在第一导电类型的半导体衬底上方。刻蚀半导体中的一个或多个深沟槽，自对准到平面栅极。用第二导电类型的半导体材料填充沟槽，使深沟槽与半导体衬底的邻近区域达到电荷平衡。该工艺可以制备单元间距小于12微米的自对准电荷平衡的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 电荷 平衡 功率 扩散 金属 氧化物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备自对准电荷平衡的半导体器件的方法，其特征在于，该方法包含：a在第一导电类型的半导体衬底上方，制备一个或多个平面栅极；b在半导体中刻蚀一个或多个深沟槽，自对准到平面栅极上；c用第二导电类型的半导体材料填充所述的深沟槽，使深沟槽与半导体衬底的邻近区域达到电荷平衡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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