[发明专利]半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010620095.9 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN102544025A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 孙荣阁;朱修剑;田广彦 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示技术领域,为有效降低制造成本而发明。所述薄膜晶体管阵列基板,包括基板,所述基板上包括第一金属层和第二金属层,第一金属层内设有栅线,第二金属层内设有数据线,所述栅线和数据线之间限定有像素单元,所述像素单元内包括TFT和公共电极、所述像素单元分为反射区和透射区,所述反射区包括反射电极和反射区第二像素电极,所述透射区包括透射区第一像素电极和透射区第二像素电极;所述反射区第二像素电极、所述透射区第一像素电极、所述透射区第二像素电极设置于一个像素电极层。本发明可用于进行液晶显示。
搜索关键词: 半透半 反式 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板,包括基板,所述基板上包括第一金属层和第二金属层,第一金属层和第二金属层之间设有第一绝缘层,第一金属层内设有栅线,第二金属层内垂直于所述栅线设有数据线,所述栅线和所述数据线之间限定有像素单元,所述像素单元内包括TFT和公共电极,所述像素单元分为反射区和透射区,其特征在于,包括:所述反射区包括反射电极和反射区第二像素电极,所述透射区包括透射区第一像素电极和透射区第二像素电极;所述反射区第二像素电极、所述透射区第一像素电极、所述透射区第二像素电极设置于一个像素电极层。
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