[发明专利]半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor LiquidCrystal Display)领域，平面电场模式的TFT-LCD具有广视角、低色差、穿透率高等优点，得到了越来越多的使用。

和其它模式的TFT-LCD相同，平面电场模式的TFT-LCD由彩膜基板和阵列基板对盒形成，彩膜基板和阵列基板之间滴注有液晶。如图1和图2所示，现有技术中，平面电场模式半透半反式TFT-LCD阵列基板上设有栅线203，垂直于栅线203设有数据线204，栅线203和数据线204之间限定有像素单元202，像素单元202内设有反射区和透射区，反射区包括反射电极212和反射区第二像素电极201、透射区包括透射区第一像素电极211和透射区第二像素电极201′，反射电极212与反射区第二像素电极201之间以及透射区第一像素电极211和透射区第二像素电极201之间间隔有第一绝缘层213和第二绝缘层214。

在平面电场模式的TFT-LCD阵列基板的制作过程中，首先通过第一次构图工艺形成透射区第一像素电极211，通过第二次构图工艺形成栅线203以及和反射电极212，沉积第一绝缘层213后，通过第三次构图工艺形成TFT漏极206、TFT源极207和数据线204，通过第四次构图工艺形成漏极接触孔208，通过第五次构图工艺处理形成反射区第二像素电极201和透射区第二像素电极201′。

如上所述，在平面电场模式的TFT-LCD阵列基板的整个制作过程中，共需进行五次构图工艺，因此，制造过程较为复杂，制造成本较高。

发明内容

本发明的实施例的主要目的在于，提供一种半透半反式TFT阵列基板及其制造方法，能够有效降低制造成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供了一种半透半反式TFT阵列基板，包括：

基板，所述基板上包括第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层之间设有第一绝缘层，第一金属层内设有栅线，第二金属层内垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素单元，所述像素单元内包括TFT和公共电极，所述像素单元分为反射区和透射区；其中：

所述反射区包括反射电极和反射区第二像素电极，所述透射区包括透射区第一像素电极和透射区第二像素电极；

所述反射区第二像素电极、所述透射区第一像素电极、所述透射区第二像素电极设置于一个像素电极层。

一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板制造方法，包括：

在基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成反射区反射电极；

在形成有反射区反射电极的基板上，形成反射区第二像素电极、透射区第一像素电极和透射区第二像素电极，所述反射区第二像素电极、透射区第一像素电极和透射区第二像素电极设置于一个像素电极层上。

采用上述技术方案后，本发明实施例提供的平面电场模式半透半反式TFT阵列基板及其制造方法，由于透射区第一像素电极和透射区第二像素电级位于同一层，即能够通过一次构图工艺处理同时形成，因此，整个制造过程中，简化了制造工艺流程，有效降低了制造成本，而且，进一步提高了生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中平面电场模式半透半反式TFT-LCD阵列基板的平面示意图；

图2为图1中A-A′方向的截面图；

图3为本发明实施例提供的一种半透半反式TFT阵列基板的平面示意图；

图4为图3的B-B′位置截面图；

图5为图3中B-B′方向的另一种截面图；

图6为本发明实施例提供的半透半反式TFT阵列基板制造方法的流程示意图；

图7为本发明实施例提供的半透半反式TFT阵列基板制造方法的一种工艺流程示意图；

图8为本发明实施例提供的半透半反式TFT阵列基板制造方法的一种工艺流程示意图。

附图标记：