[发明专利]半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板，包括基板，所述基板上包括第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层之间设有第一绝缘层，第一金属层内设有栅线，第二金属层内垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素单元，所述像素单元内包括TFT和公共电极，所述像素单元分为反射区和透射区，其特征在于，包括：

所述反射区包括反射电极和反射区第二像素电极，所述透射区包括透射区第一像素电极和透射区第二像素电极；

所述反射区第二像素电极、所述透射区第一像素电极、所述透射区第二像素电极设置于一个像素电极层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射电极设置于所述第一金属层或第二金属层中，所述像素电极层位于所述第二金属层的上方，与所述第二金属层之间设置有第二绝缘层。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，

所述反射电极及所述透射区第一像素电极与所述公共电极相连接，所述反射区第二金属电极与所述TFT漏极连接，所述透射区第二像素电极和所述反射区第二像素电极相连接，所述透射区第一像素电极和透射区第二像素电极间隔排列且彼此绝缘。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透射区第一像素电极与相邻的所述透射区第二像素电极之间的间距大于相邻两个所述反射区第二像素电极的间距。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述相邻两个所述反射区第二像素电极之间的距离为3至7微米，所述透射区第一像素电极和相邻的所述透射区第二像素电极之间的距离为7至10微米。

6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述反射电极及所述透射区第一像素电极与所述TFT漏极相连接，所述反射区第二金属电极与所述公共电极连接，所述透射区第二像素电极和所述反射区第二像素电极相连接，所述透射区第一像素电极和透射区第二像素电极间隔排列且彼此绝缘。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透射区第一像素电极、透射区第二像素电极及反射区第二像素电极均为透明电极。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射电极的材料是氮化铝。

9.一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成反射区反射电极；

在形成有反射区反射电极的基板上，形成反射区第二像素电极、透射区第一像素电极和透射区第二像素电极，所述反射区第二像素电极、透射区第一像素电极和透射区第二像素电极设置于一个像素电极层上。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成反射区反射电极包括：

在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺，形成包括栅线、栅极、公共电极、反射区反射电极的第一金属层；

或者

在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺，形成包括栅线、栅极、公共电极的第一金属层；

在形成有所述第一金属层的基板上沉积绝缘薄膜、形成第一绝缘层；

在形成有第一金属层、第一绝缘层的基板上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺，形成包括数据线、源极、漏极和反射区反射电极的第二金属层。