[发明专利]氢气净化方法和系统无效
| 申请号： | 201010617496.9 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102173384A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 朱国平 | 申请（专利权）人： | 重庆大全新能源有限公司 |
| 主分类号： | C01B3/56 | 分类号： | C01B3/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 404000 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种氢气净化方法和系统，用于净化多晶硅生产过程中干法回收分离出的原料气，所述方法包括：吸收步骤，将所述原料气从吸附塔底部通入吸附塔内进行吸附提纯，所述吸附塔底部设置有吸附剂床层，所述吸附剂床层包括活性炭；解吸步骤，包括将完成吸收步骤的吸附塔进行热卸压、热吹扫；冷加压步骤，对吸附塔进行高纯氢气充压，同时对吸附剂床层进行冷却；冷却步骤，将完成冷加压步骤的吸附塔中的吸附剂床层继续进行冷却，直至冷却温度达到工艺控制指标。该方案通过变压吸附和变温吸附相结合的方式，增加了活性碳吸附剂对杂质的吸附容量；同时可以使活性吸附剂碳解吸或重新活化更容易，降低了活性碳中毒的可能性，增加了工艺可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氢气 净化 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种氢气净化方法，用于净化多晶硅生产过程中干法回收分离出的原料气，其特征在于，包括：吸收步骤，将所述原料气从吸附塔底部通入吸附塔内进行吸附提纯，所述吸附塔底部设置有吸附剂床层，所述吸附剂床层包括活性炭；解吸步骤，包括将完成吸收步骤的吸附塔进行热卸压、向吸附塔进行通入高纯氢气进行热吹扫；冷加压步骤，对吸附塔进行高纯氢气充压，同时对吸附剂床层进行冷却；冷却步骤，将完成冷加压步骤的吸附塔中的吸附剂床层继续进行冷却，直至冷却温度达到工艺控制指标。
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