[发明专利]氢气净化方法和系统

权利要求书

1.一种氢气净化方法，用于净化多晶硅生产过程中干法回收分离出的原料气，其特征在于，包括：

吸收步骤，将所述原料气从吸附塔底部通入吸附塔内进行吸附提纯，所述吸附塔底部设置有吸附剂床层，所述吸附剂床层包括活性炭；

解吸步骤，包括将完成吸收步骤的吸附塔进行热卸压、向吸附塔进行通入高纯氢气进行热吹扫；

冷加压步骤，对吸附塔进行高纯氢气充压，同时对吸附剂床层进行冷却；

冷却步骤，将完成冷加压步骤的吸附塔中的吸附剂床层继续进行冷却，直至冷却温度达到工艺控制指标。

2.根据权利要求1所述的氢气净化方法，其特征在于，所述解吸步骤中，在热卸压完成后，还包括：

对吸附塔进行抽真空，以降低被吸附组分的分压。

3.根据权利要求1至2所述的氢气净化方法，其特征在于，所述解吸步骤包括：

对吸附剂床层进行加热，并控制其温度不低于100摄氏度。

4.根据权利要求1至2所述的氢气净化方法，其特征在于：

所述吸附剂床层中还包括专用吸附填料，所述专用吸附填料包括活性炭类、硅胶类和分子筛类吸附剂；

所述活性炭设置在靠近吸附塔原料气进口端位置，所述专用吸附填料设置在所述活性炭之上，所述原料气依次通过活性炭和专用吸附填料进行吸附提纯。

5.根据权利要求4所述的氢气净化方法，其特征在于，在所述吸收步骤之前，还包括：

获取原料气中杂质的成分和含量，并计算出杂质对应的各种专用吸附填料的需求量；

按照不同专用吸附填料的吸附性能分层装填组成吸附剂床层。

6.根据权利要求1所述的氢气净化方法，其特征在于：

执行吸收步骤时，所述吸附塔内的压力不大于2.5MPa。

7.根据权利要求1所述的氢气净化方法，其特征在于：

所述冷却温度达的工艺控制指标具体为：冷却温度不大于50摄氏度。

8.一种氢气净化系统，其特征在于，包括：

至少两个吸附塔，吸附塔底部设置有吸附剂床层，吸附塔用于以循环方式顺序完成吸收、解吸、冷加压和冷加压步骤；

所述吸附剂床层中包括活性炭和专用吸附填料；

所述活性炭设置在靠近吸附塔原料气进口端位置，所述专用吸附填料设置在所述活性炭之上，所述原料气依次通过活性炭和专用吸附填料进行吸附提纯。

所述专用吸附填料包括活性炭类、硅胶类和分子筛类吸附剂。