[发明专利]镀膜件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010612188.7 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102534486A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;李聪 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种镀膜件及该镀膜件的制备方法。该镀膜件包括一基体及一抗指纹层，该抗指纹层包括依次形成于基体表面的非晶二氧化硅层及氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层，其中0＜x＜2，0＜y＜4。一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：提供一基体；以硅靶为靶材，以氧气为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该基体的表面溅镀非晶二氧化硅层；以硅靶为靶材，以氧气、四氟化碳气体为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该非晶二氧化硅层的表面制备一氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层，其中0＜x＜2，0＜y＜4。该镀膜件具有良好的抗指纹功能。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镀膜件，其包括一基体，其特征在于：该镀膜件还包括一抗指纹层，该抗指纹层包括依次形成于基体表面的非晶二氧化硅层及氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层，其中0＜x＜2，0＜y＜4。
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